8 (800) 550-12-98 kai@antelcom.ru

IPD122N10N3GATMA1 (заказ 3 дня)

112,79 ₽
В наличии: 2430шт.
Количество:
Кратность — 10 шт.
В корзину
  • Характеристики
Характеристики
Количество 2430
Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) - 12,2 мОм
Тип MOSFET
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.
Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Время задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс
Заряд затвора (Qg) - 26 нКл
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Вес брутто 0.55
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*38/2500
Емкость, пФ 2500
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2
Заряд затвора, нКл 26

Наличие на складе в Москве широкого перечня комплектующих
Налаженные связи с поставщиками позволяют гарантировать точные сроки выполнения заказов
Доставка по всей России
Самовывоз со склада в Москве