8 (800) 550-12-98 kai@antelcom.ru

IRFBG30PBF (заказ 3 дня)

100,70 ₽
В наличии: 1975шт.
Количество:
В корзину
  • Характеристики
Характеристики
Количество 1975
Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) - 5 мОм
Тип MOSFET
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220AB
Упаковка TUBE, 1000 шт.
Максимальный ток Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 3.1 A
Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Время задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс
Заряд затвора (Qg) - 80 нК
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Вес брутто 2.82
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*43/2000
Емкость, пФ 980
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5
Заряд затвора, нКл 80

Наличие на складе в Москве широкого перечня комплектующих
Налаженные связи с поставщиками позволяют гарантировать точные сроки выполнения заказов
Доставка по всей России
Самовывоз со склада в Москве