8 (800) 550-12-98 kai@antelcom.ru

IRF640NPBF (заказ 3 дня)

33,06 ₽
В наличии: 850шт.
Количество:
Кратность — 50 шт.
В корзину
  • Характеристики
Характеристики
Количество 850
Мощность рассеиваемая (Pd) - 130 Вт
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) - 150 мОм
Тип MOSFET
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220
Упаковка TUBE, 50 шт.
Максимальный ток Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 18 A
Описание 200V, 18A N-Channel MOSFET
Заряд затвора (Qg) - 67 нКл
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Вес брутто 3.03
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*41*31/4000
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 200
Максимальный ток стока (при Ta25C), А 18
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 150
Заряд затвора, нКл 67

Наличие на складе в Москве широкого перечня комплектующих
Налаженные связи с поставщиками позволяют гарантировать точные сроки выполнения заказов
Доставка по всей России
Самовывоз со склада в Москве